每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問(wèn)：公司投資的6英寸晶元和目前人們常說(shuō)的16寸晶圓是一類(lèi)的嗎？是落后產(chǎn)能嗎，公司最好澄清一下，我理解的功率半導(dǎo)體晶圓和半導(dǎo)體晶不是一樣的，理解的對(duì)嗎？

捷捷微電（300623.SZ）7月8日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，尊敬的投資者您好，感謝您的關(guān)注。理論上講芯片的版面越大效率越高，就功率半導(dǎo)體器件而言，要結(jié)合市場(chǎng)份額與產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)和投資規(guī)模、產(chǎn)業(yè)周期、工藝平臺(tái)等前置條件與之相匹配。即功率半導(dǎo)體器件需要不同的芯片產(chǎn)線、工藝和封測(cè)能力相關(guān)聯(lián)，IDM具備核心競(jìng)爭(zhēng)力，并對(duì)應(yīng)不同的市場(chǎng)細(xì)分領(lǐng)域和市場(chǎng)份額。從效率而言，芯片產(chǎn)線版面與市場(chǎng)份額以及效率與邊際等是正相關(guān)的。目前國(guó)內(nèi)的晶閘管和部分二極管、防護(hù)器件等仍以4寸線為主流（國(guó)外5、6寸為主流）；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片和部分MOSFET等以 6寸線為主流；中高端MOSFET、IGBT 等以8寸片線為主流，還有部分IGBT需要12寸線支持（國(guó)外為主）等。公司MOS系列產(chǎn)品采用 Fabless+封測(cè)的運(yùn)營(yíng)模式，6英寸與8英寸芯片是流片的。謝謝！

(記者 蔡鼎)

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