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立方砷化硼兼具導電和導熱優(yōu)勢

2022-07-25 07:32:41

每經AI快訊,據最新一期《科學》雜志,來自美國麻省理工學院、休斯頓大學和其他機構的一個研究團隊進行的實驗表明,一種名為立方砷化硼的材料克服了硅作為半導體的兩個限制:為電子和空穴提供很高的遷移率,并具有良好的導熱性能。研究人員說,它可能是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導體材料。(科技日報)

責編 王曉波

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