今日半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）延續(xù)強勢，盤中漲超5%。

資料來源：Wind

【上漲因素分析】

1、大盤環(huán)境良好，上證破十年新高。今日上證指數(shù)強勢，突破前高，再創(chuàng)十年新高。美股這邊表現(xiàn)也不錯。標(biāo)普500指數(shù)昨日夜間上漲0.64%，納斯達克指數(shù)上漲0.69%。

2、直接推動是存儲的強勢。據(jù)Trendforce最新消息，近期對2026年第一季度存儲合約價預(yù)期大幅度上修，預(yù)估2026Q1 DRAM、NAND合約價分別上漲55%~60%、33%~38%。此外，據(jù)韓國經(jīng)濟日報，三星與海力士已向服務(wù)器、PC及智能手機用DRAM客戶提出漲價，今年一季度報價將較去年第四季度上漲60%~70%。

存儲漲價最直接的影響是帶來存儲擴產(chǎn)的預(yù)期。從目前A股存儲的投資看，由于缺乏原廠的標(biāo)的，所以存儲擴產(chǎn)帶來的半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)就會顯得比較性感。2025年12月30日晚間，CXKJ披露招股書，籌劃加上自有資金共計345億元人民幣，擬投資于存儲晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級項目、DRAM存儲器技術(shù)升級項目、動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項目。昨日某龍頭廠商復(fù)牌之后，帶動半導(dǎo)體設(shè)備板塊情緒上漲。

3、深層邏輯是國產(chǎn)替代和需求爆發(fā)的共振。據(jù)浙商證券故居，2024年我國ALD、光刻、量測檢測、離子注入、涂膠顯影等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率極低，在10%左右。刻蝕、CVD、CMP、熱處理等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低，位于10%至30%之間。

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【后市展望：“存儲擴產(chǎn)+先進制程擴產(chǎn)”雙重推動，半導(dǎo)體設(shè)備ETF具備【催化明確+估值較低】兩大優(yōu)勢】

這一輪存儲甚至半導(dǎo)體設(shè)備的敘事不同于以往的周期復(fù)蘇或國產(chǎn)替代，而是實打?qū)嵉氖芤嬗谌駻I驅(qū)動的高景氣。無論是AI算力所需的先進制程擴產(chǎn)，還是AI存力推動的存儲擴產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備都是突破產(chǎn)能瓶頸的核心環(huán)節(jié)。

估值方面，截至1月5日，半導(dǎo)體設(shè)備ETF標(biāo)的指數(shù)PETTM為91.47x，位于上市以來75.56%分位，估值分位低于現(xiàn)在主流的其他半導(dǎo)體指數(shù)。不過提示一下，伴隨漲幅累計，還是要開始注意回調(diào)風(fēng)險了。

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風(fēng)險提示：提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險等級及收益分配原則，選擇與自身風(fēng)險承受能力匹配的產(chǎn)品，謹慎投資。