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半導(dǎo)體早參 | 存儲模組龍頭江波龍全年凈利預(yù)增150.66%~210.82%,閃迪業(yè)績、指引雙超預(yù)期

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2026-01-30 09:54:34

2026年1月29日,截至收盤,滬指漲0.16%,報收4157.98點;深成指跌0.3%,報收14300.08點;創(chuàng)業(yè)板指跌0.57%,報收3304.51點??苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)跌4.39%,半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)跌4.39%。

隔夜外盤:截至收盤,道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)漲0.11%;納斯達(dá)克綜合指數(shù)跌0.63%;標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)跌0.13%。費城半導(dǎo)體指數(shù)漲0.16%,恩智浦半導(dǎo)體跌2.72%,美光科技漲0.12%,ARM跌1.39%,應(yīng)用材料漲1.36%,微芯科技跌1.15%。

行業(yè)資訊:

1.江波龍(301308.SZ)公告稱,預(yù)計2025年歸屬于上市公司股東的凈利潤為12.5億元~15.5億元,比上年同期增長150.66%~210.82%。報告期內(nèi),存儲價格在一季度觸底后企穩(wěn)回升,三季度末因AI服務(wù)器需求爆發(fā)及原廠產(chǎn)能向企業(yè)級產(chǎn)品傾斜,導(dǎo)致供給進(jìn)一步失衡,存儲價格持續(xù)上漲。公司依托高端產(chǎn)品布局、海外業(yè)務(wù)拓展及自有品牌優(yōu)勢,上半年實現(xiàn)扭虧為盈,下半年盈利水平穩(wěn)步提升,第四季度扣非凈利潤約為6.5億元至8.7億元。

2.美國存儲芯片制造商閃迪公布2026財年第二財季(截至1月2日)財報,顯示業(yè)績及指引均超市場預(yù)期。這凸顯出人工智能(AI)領(lǐng)域?qū)Υ鎯π酒膹?qiáng)勁需求。閃迪股價在盤后交易中大幅上漲。閃迪第二財季銷售額達(dá)30.3億美元,同比增長61%;經(jīng)調(diào)整后每股收益為6.2美元,同比增長404%;FactSet調(diào)查的分析師此前預(yù)計,閃迪第二財季銷售額為26.9億美元,每股收益為3.62美元。對于第三財季,閃迪預(yù)計調(diào)整后每股收益為13美元,銷售額為46億美元。這是基于其預(yù)期的中值得出的。而華爾街此前預(yù)計,該公司第三財季銷售額為29.3億美元,每股盈利為5.11美元。

3.和林微納(688661.SH)公告稱,預(yù)計2025年歸屬于上市公司股東的凈利潤為2600萬元至3300萬元,同比扭虧為盈;扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為2200萬元至2700萬元。報告期內(nèi),全球高性能算力芯片量產(chǎn)規(guī)模增長,測試復(fù)雜度提升帶動高規(guī)格FT測試探針需求增加,公司核心產(chǎn)品技術(shù)匹配度高、訂單穩(wěn)步釋放,業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)優(yōu)化推動業(yè)績增長。

中信建投指出,受AI需求爆發(fā)、供給側(cè)收縮等多重因素影響,存儲芯片正處于價格上升期,推動全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)迎來業(yè)績爆發(fā)。存儲產(chǎn)線建設(shè)及國產(chǎn)化率提升有望進(jìn)入加速階段,看好配套半導(dǎo)體設(shè)備、封測等國內(nèi)存儲鏈投資機(jī)遇。隨著國產(chǎn)替代邏輯加強(qiáng)、存儲產(chǎn)能擴(kuò)張,新一輪資本開支周期下國產(chǎn)設(shè)備/零部件/材料將深度受益。

相關(guān)ETF:公開信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(60%)和半導(dǎo)體材料(25%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求,擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)及其聯(lián)接基金(A類:020356;C類:020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(63%)、半導(dǎo)體材料(24%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。

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