截至2026年3月4日 10:35，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.75%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌0.59%。

熱門(mén)個(gè)股方面，有研硅領(lǐng)漲6.29%，神工股份上漲2.89%，耐科裝備上漲1.92%；歐萊新材領(lǐng)跌3.28%，芯源微下跌3.13%，天岳先進(jìn)下跌1.85%。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤(pán)中換手5.03%，成交4.36億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤(pán)中換手3.33%，成交8691.62萬(wàn)元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周規(guī)模增長(zhǎng)1.76億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模領(lǐng)先同類(lèi)；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)26.03億元。

資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近4天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得4.69億元凈流入，合計(jì)“吸金”9.17億元，日均凈流入達(dá)2.29億元。

消息面上，SK海力士正在推進(jìn)一項(xiàng)旨在提升HBM4穩(wěn)定性和性能的封裝技術(shù)革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和縮小DRAM層間距，目前該技術(shù)正在驗(yàn)證階段。若其成功商業(yè)化，將有效縮小HBM4及未來(lái)產(chǎn)品在DRAM性能上的差距。

開(kāi)源證券認(rèn)為，受AI需求增長(zhǎng)及潔凈室空間受限影響，存儲(chǔ)芯片正全面進(jìn)入“賣(mài)方市場(chǎng)”。為應(yīng)對(duì)當(dāng)前供應(yīng)瓶頸，以及搶跑AI驅(qū)動(dòng)下新一輪需求高點(diǎn)，主動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)或已成為頭部廠商的必然選擇，海力士大規(guī)模追投將成為全球存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)的明確信號(hào)。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：024417；C類(lèi)：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場(chǎng)中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：020356；C類(lèi)：020357），跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場(chǎng)指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對(duì)“賣(mài)鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。