佰維存儲公告稱，2026年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入68.14億元，同比增長341.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為28.99億元，同比扭虧為盈。業(yè)績變動主要系本期業(yè)績大幅增長，主要受益于AI算力爆發(fā)，存儲行業(yè)進入高景氣周期，市場需求旺盛推動產(chǎn)品價格持續(xù)上漲。

受此消息催化，科創(chuàng)芯片ETF(588290)上漲0.5%，成分股中船特氣上漲7.2%，芯源微上漲4%，峰岹科技上漲3.5%，聯(lián)蕓科技上漲3.01%，納芯微上漲2.43%。拉長時間看，截至上一個交易日收盤，科創(chuàng)芯片ETF(588290)近1周累計上漲5.15%。

熱點解讀

當前，存儲行業(yè)進入新一輪景氣周期，DRAM合約價（芯片供應(yīng)商與客戶之間簽訂的長期供應(yīng)合同中的價格）預計2026年第一季度季增90%至95%，第二季度漲價已提前鎖定，再漲約30%。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，第二季度DRAM合約價將季增58%至63%，NAND Flash合約價則季增70%至75%。Micron財報顯示，DRAM業(yè)務(wù)營收同比增長207%，環(huán)比增長74%，產(chǎn)品ASP環(huán)比上漲約65%；NAND Flash業(yè)務(wù)營收創(chuàng)歷史新高，環(huán)比增長82%，產(chǎn)品ASP環(huán)比上漲75%～79%。

漲價背后，存儲芯片產(chǎn)能供應(yīng)持續(xù)吃緊。大型AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)需求激增，促使科技公司大量囤積存儲芯片，導致整個行業(yè)處于短缺狀態(tài)。全球HBM(高帶寬內(nèi)存)未來3年復合年增長率預計超40%，短缺態(tài)勢將持續(xù)到2026年以后。Samsung已確認正在開發(fā)第八代高帶寬內(nèi)存HBM5，核心底層芯片將采用2nm工藝打造。

為匹配市場需求，Micron上調(diào)資本開支規(guī)劃，2026財年資本支出預計超250億美元，2027財年將繼續(xù)大幅增長，重點投向HBM及DRAM產(chǎn)能建設(shè)。2026年資本支出重點將轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級與混合鍵合等先進工藝的導入，位元供給增長幅度有限，供不應(yīng)求的市場狀態(tài)或?qū)⒊掷m(xù)全年。Samsung與NVIDIA合作深化，后者新款AI推理芯片已委托三星晶圓代工事業(yè)部負責生產(chǎn)。

國產(chǎn)存儲也在加速發(fā)展，長鑫存儲已正式推出LPDDR5X產(chǎn)品，長江存儲三期建設(shè)正邁向100%設(shè)備國產(chǎn)化目標。CBA+4F2在制程節(jié)點壓力以及混合鍵合技術(shù)積累加持之下或成為國產(chǎn)存儲彎道超車的必由之路。國內(nèi)利基存儲市場亦將在AI定制化存儲推動下迎來發(fā)展良機，長江存儲和長鑫存儲作為國內(nèi)存儲芯片制造龍頭企業(yè)，有望為產(chǎn)業(yè)鏈帶來諸多機會。

投資邏輯

存儲行業(yè)正迎來新一輪景氣周期，DRAM與NAND Flash合約價格持續(xù)上漲，AI算力需求爆發(fā)導致產(chǎn)能供應(yīng)吃緊，全球HBM未來3年復合年增長率預計超40%。存儲原廠如Micron上調(diào)資本開支規(guī)劃，重點投向HBM及DRAM產(chǎn)能建設(shè)，2026年將轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級與先進工藝導入。國產(chǎn)存儲加速發(fā)展，長鑫存儲推出LPDDR5X產(chǎn)品，長江存儲三期建設(shè)邁向100%設(shè)備國產(chǎn)化，CBA+4F2技術(shù)或成為國產(chǎn)存儲彎道超車路徑，國內(nèi)利基市場在AI定制化存儲推動下迎來發(fā)展良機。（聲明：以上信息僅供參考，不構(gòu)成投資建議。市場有風險，投資需謹慎。）