臺積電表示，芯片需求將持續(xù)保持強勁，預計2026年資本支出將達520億至560億美元區(qū)間的高位，以美元計的全年營收增幅將超30%。此外，Intel和AMD已通知客戶，將全系列服務(wù)器CPU上調(diào)價格，交貨周期顯著延長。2月以來CPU普遍漲幅在10-15%。AMD多次強調(diào)26年CPU已全面售罄，未來3-5年內(nèi)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)年增長率或超60%，短期內(nèi)需求沒有任何放緩或停止的跡象。

受此消息催化，科創(chuàng)芯片ETF（588290）今日上漲2.37%。重倉股中，寒武紀-U上漲0.53%、海光信息上漲2.63%、中芯國際上漲0.38%。截止上個交易日數(shù)據(jù)，該基金15日累計漲幅18.09%，動能強勁。該ETF的管理費僅為0.15%，托管費0.05%，是全市場跟蹤同一指數(shù)中費率最低的產(chǎn)品。對于長期投資者而言，低費率意味著更多的收益留存，成本優(yōu)勢顯著。

全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈正面臨結(jié)構(gòu)性變革，存儲芯片短缺持續(xù)加劇，美光科技等企業(yè)預測緊缺狀況將延續(xù)至2026年后，HBM存儲芯片年增長率預計超40%。

存儲芯片價格持續(xù)上漲，行業(yè)產(chǎn)值創(chuàng)歷史新高，2026年存儲器產(chǎn)值預計同比激增134%，三星電子已在第一季度將NAND閃存價格上調(diào)超100%，且漲價勢頭預計延續(xù)。DRAM和NAND Flash的價格漲跌幅區(qū)間為5.95%-63.43%，存儲漲價效應從AI擴散到其他領(lǐng)域，在供給持續(xù)收縮趨勢下，存儲價格漲勢仍將持續(xù)。

從具體芯片類型來看，HBM與高端DRAM成為存儲廠商盈利增長核心。SK海力士HBM銷售額同比增長逾一倍，驅(qū)動整體業(yè)績創(chuàng)新高；三星電子HBM4芯片已通過英偉達、AMD認證，將于1Q26開始交付。HBM作為AI服務(wù)器的核心配套器件，成為頭部廠商的業(yè)績增長支柱，AI相關(guān)DRAM與NAND產(chǎn)品銷量有望持續(xù)擴大。

目前，中國正積極應對這一趨勢，深圳市發(fā)布人工智能服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展計劃，明確支持存儲芯片研發(fā)及先進封裝技術(shù)攻關(guān)，構(gòu)建適配大模型訓練的高端存儲供應體系。（聲明：以上信息僅供參考，不構(gòu)成投資建議。市場有風險，投資需謹慎。）