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全球存儲芯片缺貨!國產(chǎn)龍頭兆易創(chuàng)新業(yè)績狂飆,一季度凈利增長超522%

每日經(jīng)濟新聞 2026-04-30 14:47:52

兆易創(chuàng)新公告稱,2026年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入41.88億元,同比增長119.38%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為14.61億元,同比增長522.79%。業(yè)績變動主要系報告期內(nèi),公司存儲芯片產(chǎn)品面臨供不應(yīng)求局面,實現(xiàn)量價齊升;微控制器產(chǎn)品得益于工業(yè)、消費電子及汽車等多領(lǐng)域需求的帶動,出貨量大幅增長。相關(guān)ETF方面,4月30日午盤,科創(chuàng)芯片ETF(588290)盤中一度漲超7%,成分股寒武紀、芯原股份20cm漲停,杰華特、聯(lián)蕓科技、芯源微、思瑞浦、翱捷科技、聚辰股份皆越過10%漲幅門檻。

存儲芯片行業(yè)正經(jīng)歷供需格局的重大轉(zhuǎn)變,受AI算力需求爆發(fā)影響,全球存儲芯片產(chǎn)能供應(yīng)持續(xù)吃緊,價格大幅上漲,這一緊缺狀況預(yù)計將持續(xù)到2026年以后。美光科技高管表示,存儲芯片短缺在過去一個季度明顯加速,未來3年全球HBM(高帶寬內(nèi)存)的復(fù)合年增長率將超過40%,顯示出存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)火熱。大型AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)需求激增,導(dǎo)致科技公司大量囤積存儲芯片,擠壓了消費市場,使整個行業(yè)處于短缺狀態(tài)。面對這一趨勢,多家國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)相繼公布擴大產(chǎn)能項目,計劃加大研發(fā)投入。HBM及封測端設(shè)備、材料股熱度高漲,通富微電、金海通等企業(yè)續(xù)創(chuàng)歷史新高,帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)漲停。隨著下游需求回暖和行業(yè)庫存逐步出清,存儲芯片行業(yè)正迎來新一輪景氣周期,行業(yè)整體成本上升對終端廠商利潤形成擠壓,如戴爾已率先打響PC漲價第一槍。相關(guān)板塊布局工具可持續(xù)關(guān)注科創(chuàng)芯片ETF(588290)、科創(chuàng)信息ETF(588260)等。

熱點解讀

AI算力需求爆發(fā)拉動存儲芯片漲價

隨著AI算力需求爆發(fā),全球存儲芯片產(chǎn)能持續(xù)吃緊,價格大幅上漲。三星與SK海力士計劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%,個人電腦與智能手機DRAM客戶也將面臨相近幅度的漲價。NV全新存儲架構(gòu)通過增加GPU內(nèi)存至17TB,顯著拉動存儲需求,行業(yè)緊缺狀況預(yù)計將持續(xù)到2026年以后。

AI終端升級創(chuàng)造存儲新需求

政策支持與廠商戰(zhàn)略共同推動AI終端升級。中國八部門印發(fā)《人工智能+制造專項行動實施意見》,加速智能終端升級;三星計劃將支持谷歌Gemini AI功能的移動設(shè)備數(shù)量從2024年的4億臺提升至2026年的8億臺。終端AI化趨勢將持續(xù)拉動存儲芯片需求,為行業(yè)創(chuàng)造新的增長點。

存儲芯片行業(yè)迎來新一輪景氣周期

下游需求回暖和行業(yè)庫存逐步出清,存儲芯片行業(yè)進入新一輪景氣周期。希捷科技2026年第三財季營收達31.1億美元,超出市場預(yù)期;公司上調(diào)第四財季營收展望至34.5億美元。受此影響,西部數(shù)據(jù)、閃迪、美光科技等存儲相關(guān)企業(yè)股價上漲,行業(yè)整體呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢。

上游供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代加速推進

海外壓力下,國內(nèi)存儲芯片企業(yè)加大產(chǎn)能擴張與研發(fā)投入。多家國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)相繼公布擴大產(chǎn)能項目,HBM及封測端設(shè)備、材料股熱度高漲。商務(wù)部對日本進口二氯二氫硅進行反傾銷立案調(diào)查,顯示上游材料國產(chǎn)化力度加大。在存儲芯片漲價背景下,上游供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代進程有望加速。

投資邏輯

AI算力需求爆發(fā)推動存儲芯片行業(yè)進入新一輪景氣周期,全球存儲芯片產(chǎn)能持續(xù)吃緊,價格大幅上漲,緊缺狀況預(yù)計將持續(xù)到2026年以后。三星與SK海力士計劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格提升60%至70%,NV全新存儲架構(gòu)顯著拉動存儲需求。下游需求回暖和行業(yè)庫存逐步出清,希捷科技等企業(yè)營收超預(yù)期,帶動相關(guān)企業(yè)股價上漲。同時,政策支持與廠商戰(zhàn)略共同推動AI終端升級,持續(xù)拉動存儲芯片需求。在存儲芯片漲價背景下,國內(nèi)存儲芯片企業(yè)加大產(chǎn)能擴張與研發(fā)投入,HBM及封測端設(shè)備、材料股熱度高漲,上游供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代進程有望加速。 (聲明:以上信息僅供參考,不構(gòu)成投資建議。入市有風險,投資需謹慎。)

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兆易創(chuàng)新公告稱,2026年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入41.88億元,同比增長119.38%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為14.61億元,同比增長522.79%。業(yè)績變動主要系報告期內(nèi),公司存儲芯片產(chǎn)品面臨供不應(yīng)求局面,實現(xiàn)量價齊升;微控制器產(chǎn)品得益于工業(yè)、消費電子及汽車等多領(lǐng)域需求的帶動,出貨量大幅增長。相關(guān)ETF方面,4月30日午盤,科創(chuàng)芯片ETF(588290)盤中一度漲超7%,成分股寒武紀、芯原股份20cm漲停,杰華特、聯(lián)蕓科技、芯源微、思瑞浦、翱捷科技、聚辰股份皆越過10%漲幅門檻。 存儲芯片行業(yè)正經(jīng)歷供需格局的重大轉(zhuǎn)變,受AI算力需求爆發(fā)影響,全球存儲芯片產(chǎn)能供應(yīng)持續(xù)吃緊,價格大幅上漲,這一緊缺狀況預(yù)計將持續(xù)到2026年以后。美光科技高管表示,存儲芯片短缺在過去一個季度明顯加速,未來3年全球HBM(高帶寬內(nèi)存)的復(fù)合年增長率將超過40%,顯示出存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)火熱。大型AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)需求激增,導(dǎo)致科技公司大量囤積存儲芯片,擠壓了消費市場,使整個行業(yè)處于短缺狀態(tài)。面對這一趨勢,多家國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)相繼公布擴大產(chǎn)能項目,計劃加大研發(fā)投入。HBM及封測端設(shè)備、材料股熱度高漲,通富微電、金海通等企業(yè)續(xù)創(chuàng)歷史新高,帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)漲停。隨著下游需求回暖和行業(yè)庫存逐步出清,存儲芯片行業(yè)正迎來新一輪景氣周期,行業(yè)整體成本上升對終端廠商利潤形成擠壓,如戴爾已率先打響PC漲價第一槍。相關(guān)板塊布局工具可持續(xù)關(guān)注科創(chuàng)芯片ETF(588290)、科創(chuàng)信息ETF(588260)等。 熱點解讀 AI算力需求爆發(fā)拉動存儲芯片漲價 隨著AI算力需求爆發(fā),全球存儲芯片產(chǎn)能持續(xù)吃緊,價格大幅上漲。三星與SK海力士計劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%,個人電腦與智能手機DRAM客戶也將面臨相近幅度的漲價。NV全新存儲架構(gòu)通過增加GPU內(nèi)存至17TB,顯著拉動存儲需求,行業(yè)緊缺狀況預(yù)計將持續(xù)到2026年以后。 AI終端升級創(chuàng)造存儲新需求 政策支持與廠商戰(zhàn)略共同推動AI終端升級。中國八部門印發(fā)《人工智能+制造專項行動實施意見》,加速智能終端升級;三星計劃將支持谷歌Gemini AI功能的移動設(shè)備數(shù)量從2024年的4億臺提升至2026年的8億臺。終端AI化趨勢將持續(xù)拉動存儲芯片需求,為行業(yè)創(chuàng)造新的增長點。 存儲芯片行業(yè)迎來新一輪景氣周期 下游需求回暖和行業(yè)庫存逐步出清,存儲芯片行業(yè)進入新一輪景氣周期。希捷科技2026年第三財季營收達31.1億美元,超出市場預(yù)期;公司上調(diào)第四財季營收展望至34.5億美元。受此影響,西部數(shù)據(jù)、閃迪、美光科技等存儲相關(guān)企業(yè)股價上漲,行業(yè)整體呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢。 上游供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代加速推進 海外壓力下,國內(nèi)存儲芯片企業(yè)加大產(chǎn)能擴張與研發(fā)投入。多家國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)相繼公布擴大產(chǎn)能項目,HBM及封測端設(shè)備、材料股熱度高漲。商務(wù)部對日本進口二氯二氫硅進行反傾銷立案調(diào)查,顯示上游材料國產(chǎn)化力度加大。在存儲芯片漲價背景下,上游供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代進程有望加速。 投資邏輯 AI算力需求爆發(fā)推動存儲芯片行業(yè)進入新一輪景氣周期,全球存儲芯片產(chǎn)能持續(xù)吃緊,價格大幅上漲,緊缺狀況預(yù)計將持續(xù)到2026年以后。三星與SK海力士計劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格提升60%至70%,NV全新存儲架構(gòu)顯著拉動存儲需求。下游需求回暖和行業(yè)庫存逐步出清,希捷科技等企業(yè)營收超預(yù)期,帶動相關(guān)企業(yè)股價上漲。同時,政策支持與廠商戰(zhàn)略共同推動AI終端升級,持續(xù)拉動存儲芯片需求。在存儲芯片漲價背景下,國內(nèi)存儲芯片企業(yè)加大產(chǎn)能擴張與研發(fā)投入,HBM及封測端設(shè)備、材料股熱度高漲,上游供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代進程有望加速。 (聲明:以上信息僅供參考,不構(gòu)成投資建議。入市有風險,投資需謹慎。)

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