5月11日，A股高開高走，滬指漲逾1%站上4200點，創(chuàng)業(yè)板指大漲逾3%，均刷新近11年新高；存儲芯片、半導體板塊全線爆發(fā)，成為市場最強主線，板塊內個股掀起漲停潮。中證半導體材料設備主題指數暴漲超6.9%，指數成份個股如長川科技、中船特氣20%漲停，拓荊科技、北方華創(chuàng)等漲幅居前。追蹤該指數的產品中，半導體設備ETF廣發(fā)(560780)隨之上漲，單日成交額超2.6億元，資金交投活躍。

消息面上，AI算力需求爆發(fā)推動存儲芯片行業(yè)進入“超級周期”。TrendForce集邦咨詢數據顯示，2026年二季度通用型DRAM合約價格預計環(huán)比上漲58%-63%，NAND閃存合約價格環(huán)比上漲70%-75%，價格大漲直接增厚企業(yè)利潤空間。SK海力士2026年一季度營業(yè)利潤為37.6103萬億韓元，同比猛增405%；三星電子當季營業(yè)利潤同比驟增756.1%，為57.2328萬億韓元，連續(xù)兩個季度創(chuàng)下單季最高紀錄。同時，全球存儲巨頭股價持續(xù)創(chuàng)新高，SK海力士、三星電子近日接連大漲刷新歷史紀錄，美股美光科技、閃迪等同步走強，全球半導體行業(yè)正進入共振式爆發(fā)階段，進一步提振國內板塊情緒。

全球存儲產業(yè)鏈供需持續(xù)偏緊。從需求端看，根據SEMI數據，2025年全球半導體設備銷售額達1351億美元，同比增長15%，連續(xù)第三年創(chuàng)歷史新高。高盛大幅上調全球晶圓廠設備支出的預測，將2026-2028年的全球市場規(guī)模預期提升至1410億美元、1860億美元和2080億美元，全球半導體設備上行周期可能比此前市場預判的更長。

高盛研報顯示，市場正處于過去15年來最嚴重的存儲芯片供應短缺前夜。2026年全球DRAM市場供需缺口達4.9%，NANDFlash缺口達4.2%，AI核心配件HBM（高帶寬內存）缺口更是高達5.1%，均為2011年以來最高水平。中信證券研報指出，3月以來存儲價格再度上調，證明存儲行業(yè)景氣度維持高位，供不應求將持續(xù)至2027年，漲價貫穿2026年全年，堅定看好存儲產業(yè)趨勢。

展望后市，華福證券認為，半導體材料國產化加速，下游晶圓廠擴產迅猛，看好頭部企業(yè)產業(yè)紅利優(yōu)勢最大化。光刻膠板塊為我國自主可控之路上關鍵核心環(huán)節(jié)，看好相關公司在進口替代方面的高速進展。電子化學品方面，下游晶圓廠逐步落成，芯片產能有望持續(xù)釋放。下游需求推動產業(yè)升級和革新，行業(yè)邁入高速發(fā)展期。國內持續(xù)推進制造升級，高標準、高性能材料需求將逐步釋放，新材料產業(yè)有望快速發(fā)展。

半導體設備ETF廣發(fā)(560780，場外聯接A/C類020639/020640)緊密跟蹤中證半導體材料設備主題指數，指數選取40只業(yè)務涉及半導體材料和半導體設備等領域的上市公司為成份股。Wind數據顯示，截至5月10日，該指數近一年漲幅達100.60%，不僅遠超同期滬深300（26.67%）、科創(chuàng)50（63.02%）等主流寬基走勢表現，還相對同期半導體產業(yè)指數（80.33%）、半導體行業(yè)指數（78.75%）等同主題指數跑出顯著超額。從指數分布看，截至4月底，該指數中證三級行業(yè)的半導體材料與設備行業(yè)權重達100%，成分股涵蓋中微公司、北方華創(chuàng)、長川科技、拓荊科技等設備龍頭公司。

廣發(fā)基金在指數業(yè)務領域深耕17年有余，截至一季度末，旗下ETF產品數量達76只，覆蓋主流寬基、行業(yè)主題、紅利策略、跨境市場、債券及商品六大主題，囊括電力、AI、大宗商品、跨境系列等熱門賽道細分全產業(yè)鏈，是產品布局較為完善的ETF管理人之一。截至一季度末，廣發(fā)基金旗下ETF規(guī)模超2500億元，百億級ETF達8只；其中，12只跨境ETF規(guī)模合計超1100億元，百億級跨境ETF產品達4只，數量行業(yè)居首。