12月22日，市場高開高走，整體行情上揚。滬深兩市成交額1.86萬億元，較上一個交易日放量1360億元。截至收盤，滬指漲0.69%，深成指漲1.47%，創(chuàng)業(yè)板指漲2.23%。通信ETF收漲4.72%，半導體設備ETF收漲4.93%。

資料來源：Wind

上漲原因分析

1、美光發(fā)布財報，超出市場預期。當?shù)貢r間12月17日，美光發(fā)布FY26Q1財報。季度營收為136.4億美元，超出市場129.5億美元的預期，也高于美光之前125億美元的預期。收入超預期主要由價格上行、成本執(zhí)行改善以及產(chǎn)品結構向高價值產(chǎn)品傾斜共同推動。分業(yè)務看，占比79%的Dram業(yè)務同比增長了69%，ASP環(huán)比增長20%。Nand也環(huán)比增長了22%。美光在FY25用于新廠房和設備的支出為138億美元，公司表示，將FY26資本開支預期提高至200億美元，公司原本預計為180億美元。美光業(yè)績超預期主要有兩點影響：（1）AI持續(xù)高景氣，公司表示存儲供應將保持“顯著的短缺狀態(tài)”，供應短缺或?qū)⒃?026年持續(xù)，并維持更久。（2）存儲擴產(chǎn)預期仍有上調(diào)空間，美光將capex指引上調(diào)，其供應鏈上的半導體設備廠商有望受益。

資料來源：Micron

2、光纖光纜漲價。據(jù)中信建投信息，今年Q3以來，中國市場光纖價格持續(xù)上漲，反應需求向好、整體供應偏緊。一方面，北美AI需求導致光纖產(chǎn)能持續(xù)緊缺，另一方面，2027年Scale up的光纖需求可能起量。此外DCI也將帶來大量的需求。

3、日本加息落地，短期擔憂緩解。12月19日，日本央行在貨幣政策會議上通過決議，決定加息25個基點，將政策利率從0.5%上調(diào)至0.75%，這一舉措使日本利率水平觸及30年來的最高點。此前市場擔憂日本加息影響全球股市流動性，日本加息落地之后，短期擔憂緩解，上攻壓力減輕。

后市展望

通信方面，景氣度仍然高企，可持續(xù)關注通信ETF（515880）。從市場空間測算看，2026年光模塊市場總體增速或?qū)⒎?。其中，一方面是GPU與ASIC共振，計算芯片端出貨快速增長帶來更多組網(wǎng)需求；另一方面，技術迭代引領光模塊持續(xù)高端化，明年英偉達Rubin、谷歌TPUv7產(chǎn)品迭代或持續(xù)推動1.6T高端光模塊需求?？傮w而言，從測算看明年光模塊需求遠超目前產(chǎn)能，相關廠商釋放業(yè)績的力度取決于擴產(chǎn)節(jié)奏。展望2027年，由于scale up進一步發(fā)展，光入柜內(nèi)預期持續(xù)增強。目前，AI浪潮帶動電力、運力、存力、算力高增長，A股海外算力條線主要關注運力直接相關的光模塊、光纖等及算力相關的服務器等環(huán)節(jié)。通信ETF中含有超過48%的光模塊，光纖超過9%，代表了北美AI的基本面進展。

資料來源：Wind，中證指數(shù)（截至12月22日）

半導體設備ETF（159516）方面，后市催化明確，且估值歷史分位仍然較低，可持續(xù)關注。美光在季報中提高了capex指引，后續(xù)存儲擴產(chǎn)預期有望持續(xù)拉高。存儲的高景氣度源于AI存力迅猛增長帶來的產(chǎn)能擠占，展望明后年，大模型訓練和推理所需的存力有望進一步增長，存儲產(chǎn)能的緊缺可能持續(xù)較長周期，全球范圍內(nèi)后續(xù)有望開啟一輪新的擴產(chǎn)潮流。從國內(nèi)視角看，明年兩存上市預期逐步增強，IPO或進一步強化擴產(chǎn)增量。同時，國內(nèi)存儲產(chǎn)線上對國產(chǎn)化率要求較高，國產(chǎn)半導體設備企業(yè)或承接主要訂單。此外，國產(chǎn)算力GPU需求增長帶來的先進制程需求也有望為半導體設備賽道奠定中長期景氣。估值層面，半導體設備ETF標的指數(shù)PETTM位于上市以來72%分位，仍處在相對低位，具備“安全性高+催化明確”的優(yōu)點。

來源：Wind

風險提示：

提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構成任何個股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調(diào)整，不構成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風險等級及收益分配原則，選擇與自身風險承受能力匹配的產(chǎn)品，謹慎投資。