現(xiàn)在大家可能會(huì)比較關(guān)心AI跟存儲(chǔ)的問題，但從研究來看，不管是先進(jìn)制程，比如GPU放量所帶來的先進(jìn)制程需求擴(kuò)產(chǎn)，還是相關(guān)的存儲(chǔ)擴(kuò)展，從當(dāng)前A股的一些標(biāo)的來看，半導(dǎo)體設(shè)備會(huì)是一個(gè)確定性較強(qiáng)的賽道。

首先，從整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的周期來看，2023年以來，半導(dǎo)體行業(yè)受到了AI的強(qiáng)力拉動(dòng)。從全球半導(dǎo)體銷售額來看，2023年至今，銷售額增長(zhǎng)非常迅猛，其中絕大部分增量都來自于GPU相關(guān)的收入。從海外市場(chǎng)來看，確實(shí)有很多優(yōu)秀的公司走出了強(qiáng)勁行情，甚至締造出了幾家數(shù)萬億美元市值的全球龍頭公司。

AI的強(qiáng)力拉動(dòng)同樣作用于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對(duì)其成長(zhǎng)形成強(qiáng)勁支撐。今天主要分享半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)內(nèi)容，首先給大家介紹半導(dǎo)體行業(yè)的一些基本環(huán)節(jié)情況。

這些年除了個(gè)別特殊年份，全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)?；颈３址€(wěn)定增長(zhǎng)。最主要的原因很簡(jiǎn)單：隨著科技發(fā)展，我們使用的消費(fèi)電子產(chǎn)品越來越多，包括手機(jī)、電腦、平板電腦、無人機(jī)，甚至現(xiàn)在機(jī)器人也在逐步走進(jìn)千家萬戶。這類消費(fèi)電子終端的放量，會(huì)帶動(dòng)半導(dǎo)體器件的用量大幅增加；而半導(dǎo)體芯片使用量越多，對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)而言，也必然會(huì)呈現(xiàn)同步向上的趨勢(shì)。

在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)中，晶圓制造設(shè)備的占比達(dá)到90%左右。從晶圓制造設(shè)備內(nèi)部來看，薄膜沉積、刻蝕和光刻這三項(xiàng)技術(shù)的占比相對(duì)較高，每項(xiàng)占比均在20%左右。

中國(guó)市場(chǎng)近年來成長(zhǎng)十分迅速，大家可以參考右下角的圖表。核心原因除了剛才提到的半導(dǎo)體芯片需求量上漲帶動(dòng)設(shè)備需求同步上行之外，另一個(gè)核心原因則是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控的發(fā)展需求。因此，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的增速顯著高于全球平均水平。

數(shù)據(jù)來源：Wind，Semi

目前，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)已占到全球的40%左右。為什么我們需要大量先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備？這還需要從芯片制造的核心環(huán)節(jié)說起。

在光刻過程中，我們通常會(huì)在晶圓表面覆蓋一層光刻膠。這層光刻膠具有特殊特性，例如被光照射后會(huì)變得易于去除。這樣一來，我們就可以將所需的電路圖案印制在掩膜板上。

在完整的芯片制造流程中，光刻、刻蝕、薄膜沉積等工藝需要重復(fù)成千上萬次。這里的模型旨在幫助大家理解芯片從沙子到成品的制作過程。以硅片制造為例，其核心流程并不復(fù)雜：首先對(duì)工業(yè)砂進(jìn)行提純，隨后將提純后的材料拉制成晶棒，經(jīng)過打磨、拋光、切割等工序后，最終形成晶圓。晶圓制成后，便會(huì)進(jìn)入前文提到的薄膜沉積、光刻等工藝環(huán)節(jié)。

薄膜沉積的主流方法有三種，分別是CVD（化學(xué)氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）和ALD（原子層沉積）。CVD采用化學(xué)方法進(jìn)行沉積，PVD則采用物理方法，ALD同樣屬于化學(xué)沉積方法，但其技術(shù)更為先進(jìn)，能夠通過高精度控制將沉積薄膜的厚度精準(zhǔn)到原子級(jí)別，因此更適用于對(duì)薄膜沉積精度要求較高的場(chǎng)景。

從全球市場(chǎng)格局來看，CVD、PVD、ALD等主流薄膜沉積設(shè)備的市場(chǎng)份額目前仍主要由海外廠商占據(jù)。不過，國(guó)內(nèi)廠商近年來的成長(zhǎng)速度十分迅猛。

第二個(gè)核心工藝是光刻。光刻工藝的技術(shù)壁壘極高，光刻機(jī)包含大量核心技術(shù)。我們可以了解到：第四代光刻機(jī)的波長(zhǎng)為193納米，其最小工藝節(jié)點(diǎn)可覆蓋20~30納米區(qū)間。而最先進(jìn)的EUV（極紫外線）光刻機(jī)，目前仍是先進(jìn)制程中的主流設(shè)備。EUV光刻機(jī)目前主要由海外龍頭企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)仍完全依賴進(jìn)口。

從全球市場(chǎng)份額來看，目前光刻機(jī)市場(chǎng)主要由阿斯麥（ASML）、佳能和尼康三家公司主導(dǎo)。其中阿斯麥的市場(chǎng)份額超過80%，在EUV光刻機(jī)領(lǐng)域更是占據(jù)100%的市場(chǎng)份額。也就是說，全球范圍內(nèi)的芯片制造廠（Fab）若需EUV光刻機(jī)，只能向阿斯麥采購。該設(shè)備主要應(yīng)用于先進(jìn)制程。目前光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)替代率仍較低，這也將是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)未來的核心成長(zhǎng)賽道。

根據(jù)長(zhǎng)江證券的測(cè)算，截至2024年，半導(dǎo)體設(shè)備在不同細(xì)分賽道的國(guó)產(chǎn)替代率存在差異。其中，光刻目前仍完全依賴進(jìn)口；薄膜沉積的國(guó)產(chǎn)替代率約20%；刻蝕的國(guó)產(chǎn)替代率約28%；量檢測(cè)、涂膠顯影等環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)替代率則相對(duì)較低。以上就是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的基本情況。

半導(dǎo)體設(shè)備行情已從單一自主可控，升級(jí)為與海外算力強(qiáng)映射的格局，海外存儲(chǔ)企業(yè)資本開支變動(dòng)對(duì)國(guó)內(nèi)板塊催化明顯。當(dāng)前板塊估值分位低于主流芯片指數(shù)，性價(jià)比突出。半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）優(yōu)勢(shì)顯著：持倉涵蓋設(shè)備與材料領(lǐng)域龍頭，聚焦核心工藝環(huán)節(jié)；是市場(chǎng)規(guī)模最大、流動(dòng)性最佳的半導(dǎo)體設(shè)備主題ETF，當(dāng)前節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）催化邏輯明確，是把握行業(yè)景氣周期的優(yōu)選工具。

風(fēng)險(xiǎn)提示：

投資人應(yīng)當(dāng)充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲(chǔ)蓄方式的區(qū)別。定期定額投資是引導(dǎo)投資人進(jìn)行長(zhǎng)期投資、平均投資成本的一種簡(jiǎn)單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規(guī)避基金投資所固有的風(fēng)險(xiǎn)，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲(chǔ)蓄的等效理財(cái)方式。

無論是股票ETF/LOF基金，都是屬于較高預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)和預(yù)期收益的證券投資基金品種，其預(yù)期收益及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場(chǎng)基金。

基金資產(chǎn)投資于科創(chuàng)板和創(chuàng)業(yè)板股票，會(huì)面臨因投資標(biāo)的、市場(chǎng)制度以及交易規(guī)則等差異帶來的特有風(fēng)險(xiǎn)，提請(qǐng)投資者注意。

板塊/基金短期漲跌幅列示僅作為文章分析觀點(diǎn)之輔助材料，僅供參考，不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的保證。

文中提及個(gè)股短期業(yè)績(jī)僅供參考，不構(gòu)成股票推薦，也不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的預(yù)測(cè)和保證。

以上觀點(diǎn)僅供參考，不構(gòu)成投資建議或承諾。如需購買相關(guān)基金產(chǎn)品，請(qǐng)您關(guān)注投資者適當(dāng)性管理相關(guān)規(guī)定、提前做好風(fēng)險(xiǎn)測(cè)評(píng)，并根據(jù)您自身的風(fēng)險(xiǎn)承受能力購買與之相匹配的風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)的基金產(chǎn)品?；鹩酗L(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。