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因存儲(chǔ)短缺,游戲公司Valve表示需重新審視Steam主機(jī)上市時(shí)間和定價(jià),高“設(shè)備”含量的科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)盤中拉升

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2026-02-09 10:38:14

截至2026年2月9日10:22,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)強(qiáng)勢(shì)上漲1.65%,成分股華海誠科上漲7.2%,興福電子上漲6.48%,中船特氣上漲6.47%,天岳先進(jìn),金宏氣體等個(gè)股跟漲??苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)上漲1.56%,最新價(jià)報(bào)1.76元。

截至2026年2月9日10:24,中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)強(qiáng)勢(shì)上漲1.62%,成分股華海誠科上漲7.23%,中船特氣上漲6.54%,江豐電子上漲5.46%,天岳先進(jìn)、華峰測(cè)控等個(gè)股跟漲。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)上漲1.44%,最新價(jià)報(bào)1.91元。

流動(dòng)性方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手3.58%,成交2.9億元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手2.25%,成交6179.65萬元。

規(guī)模方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1月規(guī)模增長(zhǎng)33.84億元,實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng),新增規(guī)模領(lǐng)先同類;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)26.91億元。

資金流入方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流入8744.07萬元。拉長(zhǎng)時(shí)間看,近10個(gè)交易日內(nèi)有6日資金凈流入,合計(jì)“吸金”3.37億元,日均凈流入達(dá)3365.63萬元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出378.03萬元。拉長(zhǎng)時(shí)間看,近21個(gè)交易日內(nèi)有15日資金凈流入,合計(jì)“吸金”16.04億元,日均凈流入達(dá)7636.82萬元。

消息面上,游戲公司Valve在Steam硬件博客上發(fā)文稱,自去年11月宣布要推出Steam控制器、Steam主機(jī)等產(chǎn)品以來,原計(jì)劃此時(shí)已能公布具體定價(jià)和發(fā)售時(shí)間。但由于存儲(chǔ)芯片陷入短缺,這些關(guān)鍵部件的供應(yīng)有限且價(jià)格不斷上漲,現(xiàn)在必須重新審視這些產(chǎn)品的確切出貨時(shí)間和定價(jià)。

招商證券認(rèn)為,2026年一季度以來各類存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格環(huán)比急劇上漲,目前在能見度范圍內(nèi)今年存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲可期,同時(shí)2026年全球新增供給有限,預(yù)計(jì)存儲(chǔ)緊缺趨勢(shì)將延續(xù)至2027年。在價(jià)格與需求共振情況下,今年海內(nèi)外存儲(chǔ)將迎來業(yè)績(jī)釋放大年,后續(xù)市場(chǎng)價(jià)格趨勢(shì)和各環(huán)節(jié)公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)持續(xù)性是核心關(guān)注點(diǎn),建議關(guān)注存儲(chǔ)+設(shè)備+產(chǎn)業(yè)鏈三大核心環(huán)節(jié)相關(guān)公司。

相關(guān)ETF:公開信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(60%)和半導(dǎo)體材料(25%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求,擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)及其聯(lián)接基金(A類:020356;C類:020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(63%)、半導(dǎo)體材料(24%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。

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